DMT10H014LSS-13

厂家:
  Diodes Incorporated
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 1863  
说明:
 MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
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DMT10H014LSS-13-8-SOIC(0.154

DMT10H014LSS-13 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳:8-SO
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:1.2W(Ta)
频率 - 开关:-
电流 - 输出:1871 pF @ 50 V
电压 - 输出(最大值):±20V
电压 - 输出(最小值/固定):33.3 nC @ 10 V
电压 - 输入(最大值):3V @ 250μA
电压 - 输入(最小值):15 毫欧 @ 20A,10V
输出数:4.5V,10V
输出类型:8.9A(Ta)
拓扑:100 V
输出配置:MOSFET(金属氧化物)
功能:N 通道
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Diodes Incorporated

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