DMN3150L-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：: 7148
说明：: MOSFET N-Channel

一、本商品被浏览0次.

DMN3150L-7 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：15.02 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：3.49 ns
功率耗散：1400 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3.49 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：72 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：3.8 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：28 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN3150L-7的详细信息，包括DMN3150L-7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：