DMN4009LK3-13

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: TO-252-3
数量：: 5994
说明：: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

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DMN4009LK3-13 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫欧 @ 14A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)40V
Id 时的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2072pF @ 20V
功率 - 最大2.19W
安装类型表面贴装

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