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DMN4800LSS-13

厂家：: Diodes Inc.
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 6182
说明：: MOSFET N-CHAN ENHNCMNT MODE

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DMN4800LSS-13 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26.33 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：4.5 ns
功率耗散：1460 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：4.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：14 mOhms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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