DMN4800LSS-13

厂家:
  Diodes Inc.
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 6182  
说明:
 MOSFET N-CHAN ENHNCMNT MODE
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DMN4800LSS-13-8-SOIC(0.154

DMN4800LSS-13 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:26.33 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:4.5 ns
功率耗散:1460 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:4.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOP-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):14 mOhms
漏极连续电流:9 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是DMN4800LSS-13的详细信息,包括DMN4800LSS-13厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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