DMN32D2LFB4-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: 3-XFDFN
数量：: 217103
说明：: MOSFET 350mW 30Vdss

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DMN32D2LFB4-7 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
功率耗散：350 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：DFN-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1200 mOhms at 4 V
漏极连续电流：0.3 A
闸/源击穿电压：+/- 10 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN32D2LFB4-7的详细信息，包括DMN32D2LFB4-7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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