DMN3730UFB4-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: 3-XFDFN
数量：: 5571
说明：: MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

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DMN3730UFB4-7 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：0.69 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：1.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：40 mS
包装形式：Reel
封装形式：DFN1006H4-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：460 mOhms
漏极连续电流：0.73 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

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