DMN2016UTS-13

厂家：: Diodes Inc.
封装：: 8-TSSOP
数量：: 4941
说明：: MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS

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DMN2016UTS-13 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：59.38 ns
工厂包装数量：1
上升时间：11.66 ns
功率耗散：0.88 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：16.27 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8L
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11 mOhms at 4.5 V, 13 mOhms at 2.5 V
漏极连续电流：8.58 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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