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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:19.8 ns
上升时间:13.5 ns
功率耗散:0.89 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :8 S
下降时间:6.1 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSSOP-8L
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):19 mOhms
漏极连续电流:6.7 A
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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