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DMN2041LSD-13

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: 8-SO
数量：: 5202
说明：: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8

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中文参数如下：

FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：28 毫欧 @ 6A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.63A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：15.6nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：550pF @ 10V
功率 - 最大：1.16W
安装类型：表面贴装

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