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中文参数如下:
功率耗散:350 mW
栅极电荷 Qg:1.2 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.2 S
包装形式:Reel
封装形式:SOT-363
安装风格:SMD/SMT
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.25 Ohms
漏极连续电流:650 mA
闸/源击穿电压:8 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Central Semiconductor
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