CFY25-23 (P)

厂家：: Infineon Technologies
封装：: Micro-X
数量：: 8334
说明：: 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET

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中文参数如下：

零件号别名：CFY2523PNZ
P1dB：15 dBm
封装形式：Micro-X
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：250 mW
最大工作温度：+ 175 C
漏极连续电流：80 mA
闸/源击穿电压：- 5 V to 0.5 V
漏源电压 VDS：5 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：40 mS
噪声系数：2.2 dB
增益：8.7 dB
频率：12 GHz
技术类型：MESFET
RoHS：否
制造商：Infineon

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