CFY67-08 (P)

厂家：: Infineon Technologies
封装：: Micro-X
数量：: 1170
说明：: 射频GaAs晶体管

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中文参数如下：

零件号别名：CFY6708PNZ CFY6708PZZZA1 SP000011453
P1dB：11 dBm
配置：Single Dual Source
封装形式：Micro-X
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：200 mW
最大工作温度：+ 150 C
漏极连续电流：60 mA
闸/源击穿电压：- 3 V to 0.5 V
漏源电压 VDS：3.5 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：65 mS
噪声系数：0.7 dB
增益：11.5 dB
频率：12 GHz
技术类型：pHEMT
制造商：Infineon

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