BSZ215CHXTMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TSDSON-8
数量：: 9869
说明：: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-PowerTDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：2.5W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：419pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.8nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 110μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 5.1A，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A，3.2A
漏源电压（Vdss）：20V
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
配置：N 和 P 沟道互补型
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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