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BSZ12DN20NS3G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TDSON-8
数量：
 2079  
说明：
 MOSFET N-CH 200V 11.3A
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BSZ12DN20NS3G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GXT
功率耗散：50 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：12 S, 6 S
包装形式：Reel
封装形式：PG-TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：108 mOhms
漏极连续电流：11.3 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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