BSZ160N10NS3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TSDSON-8
数量:
 6639  
说明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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中文参数如下:

零件号别名:BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GXT SP000482390
典型关闭延迟时间:22 ns
工厂包装数量:5000
上升时间:10 ns
功率耗散:2.1 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:5 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSDSON-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.016 Ohms
漏极连续电流:8 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSZ160N10NS3 G的详细信息,包括BSZ160N10NS3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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