BSZ086P03NS3EGATMA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 8-PowerTDFN
数量:
 6399  
说明:
 MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
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BSZ086P03NS3EGATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:8-PowerTDFN
封装/外壳:PG-TSDSON-8
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:2.1W(Ta),69W(Tc)
频率 - 开关:-
电流 - 输出:4785 pF @ 15 V
电压 - 输出(最大值):±25V
电压 - 输出(最小值/固定):57.5 nC @ 10 V
电压 - 输入(最大值):3.1V @ 105μA
电压 - 输入(最小值):8.6 毫欧 @ 20A,10V
输出数:6V,10V
输出类型:13.5A(Ta),40A(Tc)
拓扑:30 V
输出配置:MOSFET(金属氧化物)
功能:P 通道
产品状态:在售
包装:OptiMOS?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Infineon Technologies

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