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BSP316PE6327T

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-SOT223-4
数量：
 8343  
说明：
 MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223
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BSP316PE6327T PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.8 欧姆 @ 680mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：680mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 170µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：6.4nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：146pF @ 25V
功率 - 最大：1.8W
安装类型：表面贴装

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