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BSO211PNTMA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-DSO-8
数量：
 5906  
说明：
 MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8PDSO
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BSO211PNTMA1-PG-DSO-8图片

BSO211PNTMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：920pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23.9nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 25μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：67 毫欧 @ 4.7A，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A
漏源电压（Vdss）：20V
FET 功能：逻辑电平门
配置：2 个 P 沟道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）
品牌：Infineon Technologies

以上是BSO211PNTMA1的详细信息，包括BSO211PNTMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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