首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > BSO215C

BSO215C

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 8-SO
数量：
 8991  
说明：
 MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BSO215C-8-SO图片

BSO215C PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 3.7A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)20V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs11.5nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.7A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 246pF @ 25V
功率 - 最大2W
安装类型表面贴装

以上是BSO215C的详细信息，包括BSO215C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13

    • 相近型号推荐

    • BSO303P图片

      BSO303P

      MOSFET Dual P-Channel -30V MOSFET

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC