BSO215C

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 8-SO
数量:
 8991  
说明:
 MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC
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中文参数如下:
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 3.7A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)20V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs11.5nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.7A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 246pF @ 25V
功率 - 最大2W
安装类型表面贴装

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