BSO303P H

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-DSO-8
数量:
 7389  
说明:
 MOSFET P-KANAL
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BSO303P H PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BSO303PHXT BSO303PHXUMA1 SP000613854
典型关闭延迟时间:55 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:13 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:- 36 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :27 S
下降时间:39 ns
包装形式:Reel
封装形式:PG-DSO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):21 mOhms
漏极连续电流:- 8.2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSO303P H的详细信息,包括BSO303P H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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