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BSO303P H

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-DSO-8
数量：: 7389
说明：: MOSFET P-KANAL

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BSO303P H PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSO303PHXT BSO303PHXUMA1 SP000613854
典型关闭延迟时间：55 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：13 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：- 36 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：27 S
下降时间：39 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-DSO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：21 mOhms
漏极连续电流：- 8.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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