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BSO303SP H

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-DSO-8
数量：
 9881  
说明：
 MOSFET P-KANAL
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BSO303SP H-PG-DSO-8图片

BSO303SP H PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSO303SPHXT BSO303SPHXUMA1 SP000613848
典型关闭延迟时间：42 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：11 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：- 40 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：19 S
下降时间：33 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-DSO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：21 mOhms
漏极连续电流：- 9.1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSO303SP H的详细信息，包括BSO303SP H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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