首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > BSO080P03SNTMA1

BSO080P03SNTMA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-DSO-8
数量：
 981  
说明：
 MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BSO080P03SNTMA1-PG-DSO-8图片

BSO080P03SNTMA1 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.79W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5890 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：136 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 14.9A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.6A（Ta）
漏源电压（Vdss）：30 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

以上是BSO080P03SNTMA1的详细信息，包括BSO080P03SNTMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • BSZ021N04LS6ATMA1
  • R6006ANDTL
  • IRF9640PBF-BE3
  • IPB240N03S4LR9ATMA1
  • IPD040N08NF2SATMA1
  • FDMC86260ET150
  • SIHA6N65E-E3
  • CSD18531Q5AT
  • IPB043N10NF2SATMA1
  • MCB200N06Y-TP

    • 相近型号推荐

    • BSO104N03S图片

      BSO104N03S

      MOSFET OptiMOS2 PWR-Trnstr N-CH 13A 13.6mOhms

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC