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BSO108N03MSC G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: DSO-8
数量：: 6462
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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BSO108N03MSC G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BSO108N03MSCGXT BSO108N03MSCGXUMA1 SP000527616
典型关闭延迟时间：11.6 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：4.4 ns
功率耗散：1560 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：4.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：DSO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.8 mOhms
漏极连续电流：8.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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