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BSO150N03MD G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: DSO-8
数量：: 7173
说明：: MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH

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BSO150N03MD G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSO150N03MDGXT BSO150N03MDGXUMA1 SP000447476
典型关闭延迟时间：8.7 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：3.8 ns
功率耗散：1400 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3.8 ns
包装形式：Reel
封装形式：DSO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：15 mOhms
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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