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BSO200P03S

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 SO-8
数量：
 7200  
说明：
 MOSFET P-Channel -30V MOSFET
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BSO200P03S-SO-8图片

BSO200P03S PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSO200P03SNT BSO200P03SNTMA1 SP000014959
典型关闭延迟时间：42 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：11 ns
功率耗散：1.56 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：11 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 m Ohms
漏极连续电流：- 9.1 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Infineon

以上是BSO200P03S的详细信息，包括BSO200P03S厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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