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BSO083N03MS G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 DSO
数量：
 7101  
说明：
 MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH
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BSO083N03MS G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSO083N03MSGXT BSO083N03MSGXUMA1 SP000446064
典型关闭延迟时间：11.5 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：1560 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：DSO
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.3 mOhms
漏极连续电流：11 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSO083N03MS G的详细信息，包括BSO083N03MS G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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