首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > BSO080P03S H

BSO080P03S H

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-DSO-8
数量：
 8913  
说明：
 MOSFET P-KANAL
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BSO080P03S H-PG-DSO-8图片

BSO080P03S H PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：BSO080P03SHXT BSO080P03SHXUMA1 SP000613798
典型关闭延迟时间：130 ns
上升时间：22 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：- 102 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：43 S
下降时间：110 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-DSO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8 mOhms
漏极连续电流：- 14.9 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSO080P03S H的详细信息，包括BSO080P03S H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • AOTF22N50
  • AOTF20N60
  • TPH4R50ANH1,LQ
  • 2SK3564(STA4,Q,M)
  • SIR616DP-T1-GE3
  • IPD35N12S3L24ATMA1
  • RQ3L090GNTB
  • BSZ067N06LS3GATMA1
  • BSC066N06NSATMA1
  • IPP80N06S208AKSA2

    • 相近型号推荐

    • BSO104N03S图片

      BSO104N03S

      MOSFET OptiMOS2 PWR-Trnstr N-CH 13A 13.6mOhms

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC