BSM50GB120DN2HOSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 模块
数量:
 8910  
说明:
 IGBT MOD 1200V 78A 400W
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

BSM50GB120DN2HOSA1 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
封装封装封装/外壳:模块
安装类型:底座安装
工作温度:150°C(TJ)
NTC 热敏电阻:无
输入:标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies):3.3 nF @ 25 V
电流 - 集电极截止(最大值):1 mA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):3V @ 15V,50A
功率 - 最大值:400 W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):78 A
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
配置:半桥
IGBT 类型:-
产品状态:停产
包装:-
系列:托盘
品牌:Infineon Technologies

以上是BSM50GB120DN2HOSA1的详细信息,包括BSM50GB120DN2HOSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC