BSC016N06NSATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 8-PowerTDFN
数量：: 102785
说明：: MOSFET MV POWER MOS

一、本商品被浏览0次.

BSC016N06NSATMA1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：BSC016N06NS BSC016N06NSXT
典型关闭延迟时间：35 ns
上升时间：9 ns
功率耗散：139 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：71 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：140 S / 70 S
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：DSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.6 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSC016N06NSATMA1的详细信息，包括BSC016N06NSATMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：