BLL6H0514L-130,112

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 SOT-1135A
数量:
 8424  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 Single 100V 18A 200mOhms
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BLL6H0514L-130,112 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:60
电阻汲极/源极 RDS(导通):200 mOhms
安装风格:SMD/SMT
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :1578 S / 806 S
包装形式:Tube
封装形式:SOT-1135A
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:13 V
漏极连续电流:18 A
汲极/源极击穿电压:100 V
输出功率:130 W
增益:19 dB at 1.215 GHz
频率:0.5 GHz to 1.4 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
制造商:NXP

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