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BLL6H1214-500

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 SOT502B
数量：
 6417  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 500W, 1.2-1.4GHz L-Band, Radar Appl.
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BLL6H1214-500 PDF参数资料

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中文参数如下：

电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.09 Ohms
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Bulk
封装形式：SOT502B
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：13 V
漏极连续电流：72 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
配置：Dual Common Source
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：NXP

以上是BLL6H1214-500的详细信息，包括BLL6H1214-500厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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