BLF6G38-10G /T3

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: CDFM
数量：: 6093
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

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BLF6G38-10G /T3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BLF6G38-10G,118
工厂包装数量：100
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.256 Ohms
产品类型：MOSFET Power
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Reel - 13 in
封装形式：CDFM
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：13 V
漏极连续电流：3.1 A
汲极/源极击穿电压：65 V
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：NXP

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