BLF6G38LS-100

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT502B
数量：: 6120
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

一、本商品被浏览0次.

BLF6G38LS-100 PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BLF6G38LS-100,112
工厂包装数量：20
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.15 Ohms
产品类型：MOSFET Power
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Tube
封装形式：SOT502B
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：13 V
漏极连续电流：34 A
汲极/源极击穿电压：65 V
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：NXP

以上是BLF6G38LS-100的详细信息，包括BLF6G38LS-100厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管射频双极小信号晶体管射频JFET晶体管射频双极电源晶体管射频MOSFET小信号晶体管