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BLF6G10L-200BRN,11

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 SOT-502A
数量：
 5715  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
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BLF6G10L-200BRN,11-SOT-502A图片

BLF6G10L-200BRN,11 PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
包装形式：Reel
封装形式：SOT-502A
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：+/- 13 V
漏极连续电流：49 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：40 W
增益：20 dB
频率：0.7 GHz to 1 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
制造商：NXP

以上是BLF6G10L-200BRN,11的详细信息，包括BLF6G10L-200BRN,11厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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