BLF6G10LS-135R,118

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 SOT-502B
数量:
 6345  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
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BLF6G10LS-135R,118 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:/T3 BLF6G10LS-135R
工厂包装数量:100
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.23 Ohms
产品类型:MOSFET Power
功率耗散:125 W
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:SOT-502B
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:+/- 13 V
漏极连续电流:32 A
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:26.5 W
增益:21 dB
频率:0.7 GHz to 1 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:NXP

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