BLF6G10LS-135R,118

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT-502B
数量：: 6345
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

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BLF6G10LS-135R,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：/T3 BLF6G10LS-135R
工厂包装数量：100
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.23 Ohms
产品类型：MOSFET Power
功率耗散：125 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOT-502B
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：+/- 13 V
漏极连续电流：32 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：26.5 W
增益：21 dB
频率：0.7 GHz to 1 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：NXP

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