BLF6G10-45

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 CDFM
数量:
 5697  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
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BLF6G10-45 PDF参数资料

中文参数如下:

零件号别名:BLF6G10-45,112
工厂包装数量:20
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.2 Ohms
产品类型:MOSFET Power
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
包装形式:Tube
封装形式:CDFM
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:- 0.5 V, 13 V
漏极连续电流:13 A
汲极/源极击穿电压:65 V
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:NXP

以上是BLF6G10-45的详细信息,包括BLF6G10-45厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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