BLF369,112

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 SOT502B
数量:
 5535  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS 65V 100A
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BLF369,112 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BLF369
工厂包装数量:15
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.04 Ohms
产品类型:RF MOSFET Power
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
包装形式:Tube
封装形式:SOT502B
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:13 V
汲极/源极击穿电压:65 V
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual Dual Source
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:NXP

以上是BLF369,112的详细信息,包括BLF369,112厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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