BLF3G21-6

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: CDIP SMT
数量：: 5553
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

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BLF3G21-6 PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BLF3G21-6,112
工厂包装数量：20
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.07 Ohms
产品类型：MOSFET Power
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Tube
封装形式：CDIP SMT
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：+/- 13 V
漏极连续电流：2.3 A
汲极/源极击穿电压：65 V
晶体管极性：P-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：NXP

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