BFP 720FESD H6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TSFP-4-1
数量：: 2214
说明：: 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS

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BFP 720FESD H6327 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BFP720FESDH6327XT BFP720FESDH6327XTSA1 SP000853562
系列：BFP720
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 150 C
最大工作频率：43 GHz
直流电流增益 hFE 最大值：400
集电极—发射极最大电压 VCEO：4.2 V
包装形式：Reel
封装形式：TSFP-4-1
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：100 mW
集电极连续电流：30 mA
产品种类：射频硅锗晶体管
制造商：Infineon

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