BFP 740F H6327

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TSFP-4
数量:
 10217  
说明:
 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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BFP 740F H6327 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BFP740FH6327XT BFP740FH6327XTSA1 SP000750416
系列:BFP740
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
最大工作频率:42 GHz
直流电流增益 hFE 最大值:400
集电极—发射极最大电压 VCEO:4 V
包装形式:Reel
封装形式:TSFP-4
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:160 mW
集电极连续电流:30 mA
发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V
RoHS:是
产品种类:射频硅锗晶体管
制造商:Infineon

以上是BFP 740F H6327的详细信息,包括BFP 740F H6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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