BF 2030 E6814

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 SOT-143
数量:
 7893  
说明:
 射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N_Channel MOSFET Tetrode
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BF 2030 E6814-SOT-143图片

BF 2030 E6814 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:BF2030E6814HTSA1 BF2030E6814XT SP000012219
工厂包装数量:12000
系列:BF2030
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:SOT-143
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:200 mW
漏极连续电流:0.04 A
闸/源击穿电压:6 V
汲极/源极击穿电压:8 V
晶体管极性:N-Channel
配置:Single Dual Gate
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET小信号晶体管
制造商:Infineon

以上是BF 2030 E6814的详细信息,包括BF 2030 E6814厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • 暂无电子元件图

    BF 2030R E6814

    射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N_Channel MOSFET Tetrode

  • BF 2030W E6814图片

    BF 2030W E6814

    射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V

  • BF 2040 E6814图片

    BF 2040 E6814

    射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V

  • 暂无电子元件图

    BF 2040R E6814

    射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N_Channel MOSFET Tetrode

  • BF 2040W E6814图片

    BF 2040W E6814

    射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V

  • BF 5020 E6327图片

    BF 5020 E6327

    射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Ch MOSFET Tetrode

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC