BF 2030W H6824

厂家：: Infineon Technologies
封装：: SOT-343
数量：: 7929
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS

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BF 2030W H6824 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BF2030WH6824XT BF2030WH6824XTMA1 SP000752046
工厂包装数量：10000
系列：BF2030
功率耗散：200 mW
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Reel
封装形式：SOT-343
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：6 V
漏极连续电流：40 mA
汲极/源极击穿电压：10 V
增益：23 dB
频率：1 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

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