APTM100A13SG

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 2211
说明：: PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6

一、本商品被浏览0次.

APTM100A13SG PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型2 N 沟道（半桥）
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C156 毫欧 @ 32.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1000V (1kV)
Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 6mA
闸电荷(Qg) @ Vgs562nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C65A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 15200pF @ 25V
功率 - 最大1250W
安装类型底座安装

以上是APTM100A13SG的详细信息，包括APTM100A13SG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：