APTM100A23SCTG

厂家:
  Microsemi Corporation
封装:
 SP4
数量:
 729  
说明:
 MOSFET PHASE LEG SER/SIC DIO SP4
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中文参数如下:
FET 型2 N 沟道(半桥)
FET 特点标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 18A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1000V (1kV)
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs308nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C36A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 8700pF @ 25V
功率 - 最大694W
安装类型底座安装

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