APTM100DDA35T3G

厂家:
  Microsemi Corporation
封装:
 SP3
数量:
 819  
说明:
 MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

APTM100DDA35T3G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C420 毫欧 @ 11A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1000V (1kV)
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs186nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C22A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 5200pF @ 25V
功率 - 最大390W
安装类型底座安装

以上是APTM100DDA35T3G的详细信息,包括APTM100DDA35T3G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC