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中文参数如下:
FET 型2 N 沟道(半桥)
FET 特点标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 14A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)800V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4507pF @ 25V
功率 - 最大277W
安装类型底座安装
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