APTC80H15T1G

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 7396
说明：: MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1

一、本商品被浏览0次.

APTC80H15T1G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型4 N 通道（半桥）
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 14A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)800V
Id 时的 Vgs(th)（最大）3.9V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4507pF @ 25V
功率 - 最大277W
安装类型底座安装

以上是APTC80H15T1G的详细信息，包括APTC80H15T1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：