APTC80DA15T1G

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: SP1
数量：: 5850
说明：: MOSFET N-CH 800V 28A SP1

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 14A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)800V
Id 时的 Vgs(th)（最大）3.9V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4507pF @ 25V
功率 - 最大277W
安装类型底座安装

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