中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W（Ta）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：645pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 5A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta）
漏源电压（Vdss）：30V
FET 功能：-
配置：2 个 P 沟道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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