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中文参数如下：
FET 型2 个 N 沟道（双）
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 9.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)20V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs17.9nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.4A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1810pF @ 10V
功率 - 最大2W
安装类型表面贴装
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